第226章 如果有这一半的速度，再加上这质量… (4 / 5)
        也是陈舟查这么文献的目的。

        和DAPCVD法被报道的时间，仅相隔一年。

        这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。

        这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器，将2~5W的矩形微波进行导转换，在大气压下形成等离子体。

        而高压等离子体就会由耦合器的“针孔”处喷射到水冷的样品台上，继而形成金刚石薄膜。

        和DAPCVD法使用的气源相同，主要是氩气，反应气体是甲烷和氢气。

        现如今，这种方法已经形成了多种形式。

        不过不管是按真空室的形成来分的石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式，还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。

        它们的沉积速率，都是和微波功率有关的。

        举个例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μm/h的速率沉积光学级金刚石薄膜。

        而用10kW微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μm/h。

        也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。

        除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。

        在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160Torr气体压力下，可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。

        如果在同等条件下，将压力提高至310Torr下，可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。

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