158 日韩半导体战争 (2 / 5)
        朝鲜战争的爆发，日本人获得了米国的扶持。

        从1958年日本北辰电气(HokushinElectric)为NECNEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上全球半导体DRAM内存市场霸主。

        一共经历将近三十年。

        日本人向米国学习，在米国人的扶持下初步建立自己完整的半导体工业体系，并形成了自身国家在科技突破上的研发体系。

        1960年起日本形成“官产学”三位一体的体系，即政府、企业和大学联合对集成电路技术进行攻关。

        1960年日本人成功研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制MOS型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时全球半导体工业最先进的平面制造工艺技术，使得日本人几乎一夜之间就获得集成电路的生产制造技术。

        这构成了日本半导体工业体系的雏形，一下子缩短了和天朝人的差距。

        在第二次DRAM世界大战-美日半导体战争中，日本制定了三步走的战略：

        确定目标、追赶、超越。

        直到今天，日本人很多举措为后世许多科技落后国家实现科技突破，提供很好的借鉴意义。

        第一，探索和思考DRAM未来的演进方向，并确立目标以及演进路径。

        早在1972年日本人就对当时IBM“FS计划”中提出的“1MDRAM”进行了探索和思考，而当时市场主流还处于1kDRAM时代，这在当时简直是无法想象的。

        但是。日本就以此为目标，确立了超大规模集成电路(VLSI)的技术演进路径，而当时全球主流仍处于MOS晶体管技术路线中。

        1975年日本人以通产省为中心的“下世代电子计算机用VLSI研究开发计划”构想，设立了官民共同参与的“超大规模集成电路(VLSI)研究开发政策委员会”。

        第二，官产学三位一体，制定国家项目进行重点攻关。

        1976年日本启动VLSI研究项目。1976年3月经通产省、大藏省等多次协商，日本政府启动了“DRAM制法革新”国家项目。

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