160 天然优势，背靠祖国 (2 / 8)
        在著名的《科技红利大时代》一书中，首次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研究思想。

        从科技红利思想的角度，庞煖们看看韩国人又是如何通过提高压强系数，实现对日本人的逆袭。

        1992年韩国人64MDRAM略微领先于日本人和米国人成功研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

        1993年反而通过压强原则，重点攻击，科技红利之有效研发投入同比增长70.19%，巩固对日本人的领先优势。

        1995年韩国人再次快速提升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度提升，同比增速高达96.82%。

        1996-1997年连续两年保持高位压强系数状态。

        这才有了1998年128MSDRAM、128MFLASH、256MDRAM、1GDRAM的全球第一个推出市场，从而完美的实现大逆袭。

        第三，产业链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原材料的国产化。

        上世纪90年代，韩国政府主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美元)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品原料供应链。

        韩国工贸部在汉城南部80公里的松炭和天安，设立两个工业园区，专门供给半导体设备厂商设厂。

        为了获取先进技术，韩国人以优厚条件招揽米国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS(大日本网屏)等厂商，在韩国设立合资公司。

        由此，韩国人半导体产业链上游关键设备和电子化学品原材料初具规模。

        第四，产业链横向扩张，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

        以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作关系，三星在DRAM之外，获得了大量芯片产业资源。

        从米国SUN公司引进JAVA处理器技术。

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