第一百八十五章：N-漂移层 (1 / 5)
        高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求。

        对于他来说，目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了。

        而且他用的技术也并非纯正的离子注入，正如之前有弹幕说的。

        他使用的是离子掺杂，而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’。

        因为他手中并没有离子注入机这种高科技东西，但这种晶体管又离不开N-漂移层。

        所以他只能想办法进行替代。

        离子掺杂就是他想到的办法。

        这是一种合金工艺上的技术。

        通过对应的化学药剂来将一种金属镀在另外一种金属表面。

        最早其实出现在合金的冶炼上，后面被广泛的应用到陶瓷、玻璃、复合物、聚合物等材料上。

        不过相比较现代化的离子掺杂技术，韩元对此做出了一些改进。

        比如玻璃容器中导电，在原本的离子掺杂中是没有这一个步骤的。

        .........

        玻璃容器中，以稀硫酸和稀硝酸作为基地的溶液形成了电解液，溶液中的铝离子通过加热，通电，可以在碳化硅晶体上形成薄而相对均匀的掺杂层。

        掺杂出来的N-漂移层也能起到足够的作用，不过需要进行多次重复处理。

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